自立(001)3C-SiCエピ層の高温溶液成長

文献

J-GLOBAL ID：201202284693404563 整理番号：12A0370072

High Temperature Solution Growth on Free-standing (001) 3C-SiC Epilayers

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資料名：
巻： 615/617 ページ： 37-40 発行年： 2009年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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