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J-GLOBAL ID：201202288770703833   整理番号：12A0703138

Ag薄膜成長に対する界面層の影響

Influence of Interface Layers on Ag Thin Film Growth

著者 (4件)： FUDEI Terumasa (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  KAWAMURA Midori (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  ABE Yoshio (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  SASAKI Katsutaka (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 2  ページ： 1188-1191  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/Si基板上に3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)の自己集合単分子層(SAM)を界面層として真空蒸着した厚さ6~15nmのAg/MPTMS膜を,界面層のないAg膜と比較した。Ag/MPTMS膜の抵抗率は一般にAg膜よりも小さかった。AFM像や表面粗さを比較し,Ag/MPTMS膜の方がAg膜より滑らかで表面粗さが小さく,これは界面膜がAg原子の移動を制約しているためと考えられる。いずれの膜の抵抗率も堆積速度を増加すると減少し,堆積速度が大きいほど表面粗さが減少し,滑らかになった。さらにオクチルトリメトキシシランのSAMを使ったAg膜の抵抗率と表面粗さを測定し,SAMの終端基の影響を調べた。

シソーラス用語： *銀 ,  金属薄膜 ,  *真空蒸着 ,  *単分子層 ,  境界層 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  電気抵抗率 ,  表面粗さ ,  *メタライゼーション
準シソーラス用語： *自己集合単分子層 ,  界面層

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (2件)： 3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン ,  オクチルトリメトキシシラン

タイトルに関連する用語 (3件)： Ag ,  薄膜成長 ,  界面層