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J-GLOBAL ID：201202290270005166   整理番号：12A0410444

InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討

Study of source charging time in InGaAs MOSFET

著者 (3件)： 宮本恭幸 (東京工大) ,  山田真之 (東京工大) ,  内田建 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 373(ED2011 119-141)  ページ： 59-62  発行年： 2012年01月04日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MOSFETにおいてチャネル長縮小がすすむと電子はチャネル内をバリスティックに走行するため,電流量がソースとチャネルの間のポテンシャルのボトルネック部分で制御される。その状況ではソース充電時間はHBTのエミッタ充電時間と同じ概念が使える。最近HBTにおいてエミッタ電流密度が高くなると,電流の逆数とエミッタ充電時間の比例関係が成り立たなくなるモデルが報告されている。そこで本報告では,バリスティック性が強いと考えられるInGaAs MOSFETにおいて,高電流密度領域におけるソースの駆動能力について議論し,それに基づいてソース充電時間の電流密度依存性を推定した。ソース充電時間は,低電流密度領域においては電流密度の逆数に対して,あるオフセットを持って比例するが,高電流密度になるとオフセット成分は電子速度の上昇に伴い小さくなる。このオフセット成分は,有効質量の平方根に比例することから,有効質量の小さなInGaAs MOSFETでは,Si MOSFETに較べて充電時間が小さくなることが見積もれた。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *MOSFET ,  長さ ,  縮小 ,  弾道電子 ,  バリスティック輸送 ,  ソース【半導体】 ,  充電 ,  時間 ,  電流密度 ,  依存性 ,  計算機シミュレーション ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： InGaAs ,  チャネル長 ,  バリスティック電子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaAs ,  MOSFET ,  ソース ,  充電