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J-GLOBAL ID:201202291635385342   整理番号:12A0610208

GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの開発

著者 (11件):
資料名:
巻: 36  号: 5(IST2012 1-5)  ページ: 13-18  発行年: 2012年01月31日 
JST資料番号: S0209A  ISSN: 1342-6893  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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GaSb/InAs Type-II超格子はHgCdTeに変わる量子型赤外線センサとして注目されている。われわれは静止軌道からの地球観測を目的とした人工衛星への搭載を目指し,カットオフ波長15μmのGaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサを開発している。本論文では,研究開発の第一段階として行ったGaSb/InAs超格子のエピタキシャル成長技術開発とpin構造赤外線センサのプロセス技術開発に関し報告する。今回試作した赤外線センサはカットオフ波長が6μmとなるよう超格子構造を設計したもので,1.0×10<sup>-4</sup>A/cm<sup>2</sup>以下の暗電流(逆方向バイアス<0.07V)と10%前後の量子効率が得られることを確認した。(著者抄録)
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分類 (3件):
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結晶学一般  ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (5件):
タイトルに関連する用語 (5件):
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