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J-GLOBAL ID：201202291826846269   整理番号：12A1450538

Si(100)上のエピタキシャルSi_1-xGe_x層のマイクロ波長マイクロRaman特性評価とインラインプロセスモニタリングへの適用

Multiwavelength Micro-Raman Characterization of Epitaxial Si_1-xGe_x Layers on Si(100) and In-Line Process Monitoring Applications

著者 (11件)： CHANG Chun-Wei (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., 8, Li-Hsin Rd. 6, Hsinchu Sci. Park, 300-77, Hsinchu, Taiwan) ,  HONG Min-Hao (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., 8, Li-Hsin Rd. 6, Hsinchu Sci. Park, 300-77, Hsinchu, Taiwan) ,  TSAI Ming-Shan (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., 8, Li-Hsin Rd. 6, Hsinchu Sci. Park, 300-77, Hsinchu, Taiwan) ,  LEE Kuan-Ching (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., 8, Li-Hsin Rd. 6, Hsinchu Sci. Park, 300-77, Hsinchu, Taiwan) ,  LEE Wei-Fan (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., 8, Li-Hsin Rd. 6, Hsinchu Sci. Park, 300-77, Hsinchu, Taiwan) ,  CHUANG Yen (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., 8, Li-Hsin Rd. 6, Hsinchu Sci. Park, 300-77, Hsinchu, Taiwan) ,  FAN Yu-Ta (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., 8, Li-Hsin Rd. 6, Hsinchu Sci. Park, 300-77, Hsinchu, Taiwan) ,  UEDA Takeshi (WaferMasters, Inc., 246 East Gish Road, 95112, San Jose, CA, USA) ,  ISHIGAKI Toshikazu (WaferMasters, Inc., 246 East Gish Road, 95112, San Jose, CA, USA) ,  KANG Kitaek (WaferMasters, Inc., 246 East Gish Road, 95112, San Jose, CA, USA) ,  YOO Woo Sik (WaferMasters, Inc., 246 East Gish Road, 95112, San Jose, CA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 11  ページ： 3125-3129  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長焦点距離,ポリクロメータに基づく,多波長マイクロRaman分光法システムを使って,Si(100)上のドープ無しとBドープしたエピタキシャルSi_1-xGe_x層を特性評価した。Si_1-xGe_xからのSi-Si信号のピーク位置と半値全幅はGe含有量とB濃度と強い相関がある。エピタキシャル層からSi-Siピークの基板からSiピークまでの強度比は,エピタキシャルSi_1-xGe_x層の厚みを示している。Raman特性評価結果を,高分解能X線回折と二次イオン質量分光法の両方で確認した。多波長Raman分光法を,デバイス製作中のSi_1-xGe_xエピタキシャルプロセスの実際的な非接触インラインモニタリング技術として使った。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *エピタクシー ,  半導体材料 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  *顕微Raman分光法 ,  インライン処理 ,  監視 ,  分光計 ,  FWHM ,  厚み測定 ,  X線回折 ,  二次イオン質量分析 ,  非接触測定
準シソーラス用語： SiGe ,  エピタキシャル成長 ,  *プロセスモニタリング ,  ポリクロメータ ,  半値全幅 ,  二次イオン質量分光分析

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  品質管理一般  (KB04010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  エピタキシャル ,  波長 ,  特性評価 ,  インライン ,  プロセスモニタリング