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J-GLOBAL ID：201202291912205470   整理番号：12A1738534

Kelvinプローブ力顕微鏡法を用いたSiナノワイヤデバイス中の欠陥と輸送特性のキャラクタリゼーション

Characterizing defects and transport in Si nanowire devices using Kelvin probe force microscopy

著者 (6件)： BAE S-S (Univ. California, CA, USA) ,  PROKOPUK N (Univ. California, CA, USA) ,  PROKOPUK N (NAVAIR Res. Dep., CA, USA) ,  QUITORIANO N J (McGill Univ., QC, CAN) ,  ADAMS S M (Univ. California, CA, USA) ,  RAGAN R (Univ. California, CA, USA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 40  ページ： 405706,1-9  発行年： 2012年10月12日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RIEと蒸気-液体-固体(VLS)成長を用いてSiナノワイヤ(NW)デバイスを作製し,AFM,Kelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)およびSEMによるキャラクタリゼーションを行った。SEMにより,RIEによるNWでは表面不純物による欠陥が観測されたが,VLSによるNWでは観測されなかった。一方VLSによるNWでは,KPFM観測において,表面電位応答を持ったアクセプタ欠陥が観測され,VLS成長中のAu拡散によるものと見られた。AFMチップはNWと電極間の物理的接続を実証するには,横方向分解能が不十分であった。KPFMは,電流電圧特性の測定と組合せることにより,エネルギー帯中の不純物による状態と表面不純物とを区別することが可能であることが分かった。

シソーラス用語： 顕微鏡観察 ,  *力顕微鏡 ,  *ナノワイヤ ,  不純物準位 ,  *格子欠陥 ,  特性 ,  キャラクタリゼーション ,  VLS成長 ,  RIE【エッチング】 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  表面欠陥 ,  アクセプタ ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  Kelvinプローブ力顕微鏡法 ,  *ケイ素ナノワイヤ ,  不純物状態 ,  輸送特性

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： Kelvinプローブ力顕微鏡法 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  欠陥 ,  輸送特性 ,  キャラクタリゼーション