走査トンネル顕微鏡による室温での α-(BEDT-TTF)<sub>2</sub>I<sub>3</sub>の表面BEDT-TTF層の電荷分布

MORI Eiichi; USUI Hidemasa; SAKAMOTO Hirokazu; MIZOGUCHI Kenji; NAITO Toshio

文献

J-GLOBAL ID：201202292994361277 整理番号：12A0185152

走査トンネル顕微鏡による室温での α-(BEDT-TTF)₂I₃の表面BEDT-TTF層の電荷分布

Charge Distribution in the Surface BEDT-TTF Layer of α-(BEDT-TTF)₂I₃ at Room Temperature with Scanning Tunneling Microscopy

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資料名：
巻： 81 号： 1 ページ： 014707.1-014707.7 発行年： 2012年01月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

室温での電荷再分配状態でのα-(BEDT-TTF)₂I₃結晶の表面BEDT-TTF層の電荷分布を詳細に走査トンネル顕微鏡(STM)によって研究した。ここでBEDT-TTF(ETと省略)はbis(ethylenedithio)tetrathiafulvaleneである。表面ET層で得た分子電荷分布は135K以上での電荷再分配状態であるよりは室温での表面ET層の電子状態が,バルク結晶中で135K以下まで安定した電荷-秩序状態であることを示唆した。(翻訳著者抄録)

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顕微鏡法

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走査トンネル顕微鏡による室温での α-(BEDT-TTF)2I3の表面BEDT-TTF層の電荷分布

走査トンネル顕微鏡による室温での α-(BEDT-TTF)₂I₃の表面BEDT-TTF層の電荷分布