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J-GLOBAL ID：201202293054290629   整理番号：12A0726214

溶液処理したhigh-k誘電体,ZrO₂と薄膜トランジスタへの集積

Solution-Processed High-k Dielectric, ZrO₂, and Integration in Thin-Film Transistors

著者 (2件)： LEE Chen-Guan (The Univ. of Texas at Austin, Microelectronics Res. Center, 10100 Burnet Road, Bldg. 160, 78758, Austin, TX, USA) ,  DODABALAPUR Ananth (The Univ. of Texas at Austin, Microelectronics Res. Center, 10100 Burnet Road, Bldg. 160, 78758, Austin, TX, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 5  ページ： 895-898  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者等は,high-k誘電体,酸化ジルコニウム(ZrO₂)を析出させるゾルゲル法について報告した。この溶液法は容易なプロセスと低い製造コストの利点がある。トンネル電流密度や容量密度のような誘電性に対するアニール温度の影響を報告した。形態特性と化学的特性から,プロセス温度は300°Cかそれ以下にできることを示した。筆者等はこの溶液処理ZrO₂誘電体を酸化亜鉛スズ薄膜トランジスタに適用した。動作電圧2Vで飽和移動度4.0cm²/Vを計測した。測定したサブ閾値は74mV/decで,これは電子的に清浄な誘電体/半導体界面と高い絶縁体の容量の組合せによるものである。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 誘電材料 ,  *酸化ジルコニウム ,  *薄膜トランジスタ ,  原価低減 ,  電流 ,  焼なまし ,  形態 ,  化学的性質 ,  キャリア移動度 ,  閾値 ,  *湿式法 ,  ゾル-ゲル法
準シソーラス用語： high-k材料 ,  アニール処理 ,  サブ閾値 ,  トンネル電流 ,  化学的特性 ,  低コスト化

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液処理 ,  誘電体 ,  ZrO2 ,  薄膜トランジスタ ,  集積