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J-GLOBAL ID：201202294905143744   整理番号：12A1524993

Si/SiGeヘテロ構造チャネル上の高移動度CMOSトランジスタ

High mobility CMOS transistors on Si/SiGe heterostructure channels

著者 (10件)： OH Jungwoo (Yonsei Univ., Incheon, KOR) ,  JEON Kanghoon (Univ. California, CA, USA) ,  LEE Se-Hoon (Univ. Texas, TX, USA) ,  HUANG Jeff (SEMATECH, TX, USA) ,  HUNG P.Y. (SEMATECH, TX, USA) ,  OK Injo (SEMATECH, TX, USA) ,  SASSMAN Barry (SEMATECH, TX, USA) ,  KIRSCH Paul (SEMATECH, TX, USA) ,  JAMMY Raj (SEMATECH, TX, USA) ,  KO Dae-Hong (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 97  ページ： 26-28  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  SiGe ,  ヘテロ構造 ,  チャネル ,  高移動度 ,  CMOSトランジスタ