Si(100)と(110)面上の蓄積モードFD-SOI MOSFETでの1/f雑音の抑制

文献

J-GLOBAL ID：201202294959368741 整理番号：12A0135093

Suppression of 1/f Noise in Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces

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資料名：
巻： 1129 ページ： 337-340 発行年： 2009年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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