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J-GLOBAL ID：201202295121607830   整理番号：12A0955631

ターゲットスパッタリングと注入工程に及ぼすイオン源構成と動作パラメータの影響

Influence of ion source configuration and its operation parameters on the target sputtering and implantation process

著者 (4件)： SHALNOV K. V. (Nagata Seiki Co, 8-2, Kamisuwa, Tsubame-shi, Niigata-ken, 959-0181, JPN) ,  KUKHTA V. R. (Nagata Seiki Co, 8-2, Kamisuwa, Tsubame-shi, Niigata-ken, 959-0181, JPN) ,  UEMURA K. (Nagata Seiki Co, 8-2, Kamisuwa, Tsubame-shi, Niigata-ken, 959-0181, JPN) ,  ITO Y. (Nagaoka Univ. of Technol., Nagaoka, 940-2188, JPN)
資料名： Review of Scientific Instruments  (Review of Scientific Instruments)
巻： 83  号： 6  ページ： 063304-063304-8  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタ増強イオンプラズマ源の特徴と動作領域を調べた。イオン源は交差した電場と磁場中で形成した高密度プラズマによるターゲットスパッタリングに基づく。低圧放電領域における希ガス又は反応性気体による動作を可能にし,得られるイオンビームは動作気体とスパッタリングターゲットからのイオンの混合物である。金属,合金,化合物などのあらゆる導電性材料をスパッタリングターゲットとして利用できる。プラズマによるターゲットスパッタリング工程の有効性を銃のジオメトリ,プラズマパラメータ,ターゲットバイアス電圧に依存して調べた。0~20kVの加速電圧を印加することで,イオン源は薄膜蒸着,イオンビーム混合,イオン注入の領域で運転させ得る。多成分イオンビーム注入をα-鉄に適用し,表面硬度を初期条件の2GPaからN₂-C併用注入の場合の3.5GPaまで増大させた。注入エネルギー20keVにおける注入元素の射影飛程を,XPS深さプロファイリングにより最長20nmと決定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオンビームスパッタリング ,  *イオン源 ,  *イオン注入 ,  イオンビーム ,  飛程 ,  深さプロフィル
準シソーラス用語： 射影飛程

分類 (1件)： 電子源,イオン源  (BD02020U)

タイトルに関連する用語 (5件)： ターゲット ,  スパッタリング ,  注入 ,  イオン源 ,  動作パラメータ