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J-GLOBAL ID：201202295339812109   整理番号：12A0505342

Pbドープによるトポロジカル絶縁体Bi₂Te₃超薄膜の電子状態制御と電気伝導度

著者 (8件)： 相谷昌紀 (東大 理) ,  平原徹 (東大 理) ,  坂本裕介 (東大 理) ,  山田学 (東大 理) ,  宮崎秀俊 (名古屋工大 工) ,  松波雅治 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  木村真一 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  長谷川修司 (東大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 67  号： 1 第4分冊  ページ： 948  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  鉛 ,  ドーピング ,  超薄膜 ,  テルル化物 ,  ビスマス化合物 ,  電子状態 ,  *電気伝導率 ,  *バンド構造 ,  *絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体 ,  テルル化ビスマス

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Pb ,  ドープ ,  トポロジカル絶縁体 ,  超薄膜 ,  電子状態 ,  電気伝導度