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J-GLOBAL ID:201202295512412391   整理番号:12A1737863

EUVにおける陰影3Dマスク効果

Shadowing 3D Mask Effects in EUV
著者 (1件):
資料名:
巻: 8441  ページ: 84411L.1-84411L.5  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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極端紫外線(EUV)は陰影効果を示すことが報告されている。本研究の目的はEUVの陰影効果をできる限り最小化または除去できるメカニズムを提案することである。本研究ではEUV技術のための3次元マスクの陰影効果を評価する方法を開発し,実際に適用してみた。この方法はいくつかの構成要素から成り立っている。照射源は照射の部分コヒーレントを構成している非常に小さな領域に分割してある。各々のサブ領域は部分的なベクトル電磁場を放射している非コヒーレント源として動作する。ここでは正確な電磁方程式を使用して環状,双極,4重極および他の照明源形状に適したスカラー場を採用している。各微小領域のサブ電磁場は3Dマスクを通って運動量および物理空間の固有空間に伝搬する。この手法は非一様グリッドFourier変換(FFT)を遂行する能力に強く依存している。この方法はすでに開発され,いくつかのシミュレーションソフトウェアに組み込まれているものである。非一様グリッドFFTは計算の複雑さを約500倍も減少させる。これによって射影効果を非常に正確に計算できる。また照射源最適化アルゴリズム開発し,成功裏に実行している。解析と一体化した最適化構想を実行し,その結果,陰影効果を除去できることがわかる。
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (4件):
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