文献

J-GLOBAL ID：201202299052247457   整理番号：12A0438627

結晶シリコン上に積層したSiN_x/a-SiとSiN_x/Si過剰SiN_x積層の不動態化特性

Passivation characteristics of SiN_x/a-Si and SiN_x/Si-rich-SiN_x stacked layers on crystalline silicon

著者 (6件)： CHAM THI Trinh (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN) ,  KOYAMA Koichi (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN) ,  KOYAMA Koichi (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN) ,  OHDAIRA Keisuke (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN) ,  MATSUMURA Hideki (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST) 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN) ,  MATSUMURA Hideki (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 100  ページ： 169-173  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い変換効率をもつ結晶シリコン(c-Si)太陽電池を得るためには,高品質表面不動態化が不可欠である。熱CVDと称される触媒化学蒸着(Cat-CVD)で作成した窒化ケイ素(SiN_x)/非晶質シリコン(a-Si)積層は,c-Siに対する表面不動態化層として優れた性能を示し,劇的に低い表面再結合速度(SRV)が実現する。しかし,a-Siの太陽光吸収のために,a-Siより透明度が高い物質の利用が要求されている。この研究では,a-Si膜に代わる一層透明度が高い物質として,過剰Siを含み,シリコン/窒素の原子比(Si/N)が異なるSiN_x膜を調べた。c-Si上の不動態化膜として,SiN_x/過剰Si型SiN_x積層を利用した結果,SiN_x/a-Si積層に比べて,5cm/sと低いSRVと,波長400nmにおける透明度の30%改善が得られた。さらに,アニーリング処理後,積層の不動態化特性が顕著に改善され,3cm/sもの低いSRVが得られた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  不動態化 ,  化学蒸着 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *積層構造 ,  不動態皮膜 ,  アモルファスシリコン ,  *ケイ素化合物 ,  *保護膜 ,  性質 ,  速度 ,  熱処理
準シソーラス用語： *結晶シリコン太陽電池 ,  表面不動態化 ,  触媒化学蒸着 ,  透明性 ,  表面再結合速度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶シリコン ,  Si ,  不動態化