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J-GLOBAL ID：201202299170657104   整理番号：12A1175221

金属-絶縁体-金属キャパシタに使用するTiO₂薄膜の誘導結合プラズマシステム中におけるドライエッチング特性

The dry etching property of TiO₂ thin films using metal-insulator-metal capacitor in inductively coupled plasma system

著者 (4件)： WOO Jong-chang (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR) ,  CHUN Yoon-soo (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR) ,  JOO Young-hee (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR) ,  KIM Chang-ii (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseok-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 12  ページ： 2152-2157  発行年： 2012年07月20日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,我々はTiO₂薄膜のエッチング特性とBCl₃/Ar誘導結合プラズマ(ICP)システムにおけるSiO₂に対するTiO₂の選択性を調べた。84.68nm/分というTiO₂薄膜に対する最大エッチング速度はBCl₃/Ar気体混合比(25:75%)で得られた。加えて,エッチング速度をRFパワー,DCバイアス電圧及びプロセス圧力等のエッチングパラメータの関数として測定した。X線光電子分光分析を用いて,エッチされた表面上化学反応の集積を調べた。これらのデータに基づき,BCl₃含有プラズマでの主エッチ機構としてイオン支援物理スパッタリングを提案した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 薄膜コンデンサ ,  誘導結合プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  *酸化チタン ,  二酸化ケイ素 ,  選択性 ,  加工速度 ,  X線光電子スペクトル ,  イオンビームスパッタリング ,  塩化ホウ素 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： MIMキャパシタ ,  *二酸化チタン ,  エッチング速度 ,  高k誘電体

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁体 ,  キャパシタ ,  TiO2 ,  薄膜 ,  誘導結合プラズマ ,  エッチング特性