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J-GLOBAL ID：201202299372063990   整理番号：12A0535604

実用化に向かう極端紫外リソグラフィー フルフィールド極端紫外露光装置の開発

Development of Full-Field Extreme Ultraviolet Exposure Tools

著者 (1件)： 村上勝彦 (ニコン コアテクノロジーセ)
資料名： 光学  (Japanese Journal of Optics)
巻： 41  号： 3  ページ： 132-137  発行年： 2012年03月10日 
JST資料番号： G0125B  ISSN： 0389-6625  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 極端紫外(EUV)リソグラフィーは,ArF液浸リソグラフィーの次世代半導体デバイス製造技術として研究されている。ニコン社では,開口数(NA)0.25のフィールド投影系を備えたEUV露光装置EUV1を開発している。本論文では,EUV1において,投影光学系用の非球面ミラーの形状測定に使用する干渉計技術,解像性,コンタミネーションについて概観した。特に,高再現性干渉計などの投影光学系の開発,EUV1の結像特性,コンタミネーション制御技術,将来の展望などを説明した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *極端紫外線 ,  技術展望 ,  半導体プロセス ,  不純物 ,  半導体素子 ,  生産技術 ,  形状測定 ,  画像特性 ,  開口数 ,  *ステッパ ,  露光
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  液浸リソグラフィー ,  *極端紫外リソグラフィー ,  結像特性 ,  縮小投影露光装置 ,  半導体製造装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (11件)：

• OIZUMI, H. Sub-0.1 μm resist patterning in soft X-ray (13 nm) projection lithography. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 5914-5917
• NAGATA, H. Fabrication of 0.1 μm line-and-space patterns using soft X-ray reduction lithography. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 360-363
• MURAKAMI, K. Ring-field extreme ultraviolet exposure system using aspherical mirrors. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, 6750-6755
• OSHINO, T. Development of projection optics set-3 for high-numerical-aperture extreme ultraviolet exposure tool (HiNA). J. Vac. Sci. Technol, B. 2004, 22, 2975-2979
• MURAKAMI, K. Developmet progress of optics for extreme ultraviolet lithography at Nikon. J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS. 2009, 8, 041507

タイトルに関連する用語 (6件)： 実用化 ,  極端紫外 ,  リソグラフィー ,  フィールド ,  露光装置 ,  開発