特許
J-GLOBAL ID:201203000144691572
薄型ウエハの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
岩見谷 周志
, 阿部 亮敦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-135804
公開番号(公開出願番号):特開2012-004200
出願日: 2010年06月15日
公開日(公表日): 2012年01月05日
要約:
【課題】ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、その後のプロセス中にかかる熱に対する高温耐熱性、めっき又はエッチング時の耐薬品性、加工後のウエハの、支持基板からのスムースな剥離、剥離後のウエハ表面の接着層残渣の優れた除去性を同時に成立させる、薄化ウエハの製造方法を提供する。【解決手段】(A)回路形成面および回路非形成面を有するウエハを、ポリイミドシリコーン樹脂を含む接着層を介して、該回路形成面が該接着層と接するように、支持基板と接合する工程、(B)支持基板と接合したウエハの回路非形成面を研削する工程、(C)回路非形成面を研削したウエハに加工を施す工程、(D)加工を施したウエハを支持基板から剥離する工程、ならびに(E)剥離したウエハの回路形成面に残存する接着層を除去する工程、を含む薄型ウエハの製造方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)回路形成面および回路非形成面を有するウエハを、ポリイミドシリコーン樹脂を含む接着層を介して、該回路形成面が該接着層と接するように、支持基板と接合する工程、
(B)支持基板と接合したウエハの回路非形成面を研削する工程、
(C)回路非形成面を研削したウエハに加工を施す工程、
(D)加工を施したウエハを支持基板から剥離する工程、ならびに
(E)剥離したウエハの回路形成面に残存する接着層を除去する工程
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/304
, B24B 1/00
, C09J 179/04
FI (4件):
H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
, B24B1/00 A
, C09J179/04
Fターム (29件):
3C049AA02
, 3C049AB04
, 3C049CA05
, 3C049CB04
, 4J040EH031
, 4J040EK031
, 4J040GA03
, 4J040GA08
, 4J040GA20
, 4J040GA23
, 4J040GA32
, 4J040KA38
, 4J040LA01
, 4J040LA06
, 4J040LA07
, 4J040LA08
, 4J040MA02
, 4J040MA05
, 4J040MA10
, 4J040NA20
, 5F057AA11
, 5F057AA21
, 5F057BA21
, 5F057CA14
, 5F057DA11
, 5F057EC03
, 5F057FA15
, 5F057FA22
, 5F057FA30
引用特許:
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