特許
J-GLOBAL ID：201203001457120521

レジストパターン形成方法、及びネガ型現像用レジスト組成物

発明者：
仁藤 豪人

仁藤 豪人 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-054451
公開番号（公開出願番号）：特開2012-189884
出願日： 2011年03月11日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
【課題】ネガ型現像プロセスにおいて、エッチング耐性に優れたレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及び該レジストパターン形成方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物の提供。【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及びレジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、基材成分(A)として、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する樹脂成分(A1)を用い、酸発生剤成分(B)が、環構造をアニオン部に有する酸発生剤(B1)を含有する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、 前記基材成分(A)として、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する樹脂成分(A1)を用い、 前記酸発生剤成分(B)が、環構造をアニオン部に有する酸発生剤(B1)を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (8件)：
G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  C07C 309/12 ,  C07C 309/17 ,  C07C 381/12 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/26 ,  G03F 7/004
FI (8件)：
G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  C07C309/12 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/26 ,  G03F7/004 503A
Fターム (43件)：
2H125AF16P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF20P ,  2H125AF33P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AH13 ,  2H125AH17 ,  2H125AH18 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125BA01P ,  2H125CA12 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA05 ,  4H006AA03 ,  4H006AB81 ,  4H006TN60 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA22S ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53Q ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (5件)
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