特許

J-GLOBAL ID：201203002081214542

非晶質基材上に結晶配向した導電性酸化物層およびその形成方法

発明者： 舟窪 浩 ,  山田 智明 ,  松島 正明 ,  細川 忠利 ,  山本 智
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  フルウチ化学株式会社
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  蛯谷 厚志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-207905
公開番号（公開出願番号）：特開2012-062529
出願日： 2010年09月16日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】非晶質基材上に結晶性で配向性の良いLaNiO3、La2NiO4、SrRuO3などの導電性酸化物層を設けた基体を得ることを目的とする。【解決手段】非晶質基材上にLa-Ni-O系材料の第1層を第一の温度で製膜した後、La-Ni-O系材料の第1層の上に前記La-Ni-O系材料の第2層を前記第一の温度より高い第二の温度条件で製膜し、La-Ni-O系材料の第2層がLa-Ni-O系材料の第1層より結晶配向性が高いことを特徴とする非晶質基材上に結晶質La-Ni-O系材料層を形成する方法。La-Ni-O系材料の上にSrRuO3などの導電性酸化物層を設けることができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

非晶質基材上にLa-Ni-O系材料の第一層を第一の温度で製膜した後、La-Ni-O系材料の第一層の上に前記La-Ni-O系材料の第二層を前記第一の温度より高い第二の温度で製膜し、La-Ni-O系材料の第二層がLa-Ni-O系材料の第一層より結晶配向性が高いことを特徴とする非晶質基材上に結晶配向したLa-Ni-O系材料層を形成する方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C01G 53/00 ,  C01G 55/00

FI (3件)：

C23C14/06 P ,  C01G53/00 A ,  C01G55/00

Fターム (16件)：

4G048AA03 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AB04 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029EA08 ,  4K029FA01