双方向スイッチおよびそれを用いたスイッチ回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森下賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-194506
公開番号（公開出願番号）：特開2012-054694
出願日： 2010年08月31日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：

【課題】高耐圧の双方向スイッチを小型化する技術を提供する。【解決手段】MOSFETを用いた双方向スイッチにおいて、MOSFETのソース端子とバックゲート端子間を、トランスファゲートTGを介して接続する。MOSFETのバッグゲート端子とトランスファゲートTG間の接続点と、グラウンド電位(上記MOSFETがnチャネルの場合)または電源電位(上記MOSFETがpチャネルの場合)との間にスイッチを用いてもよい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)を用いた双方向スイッチであって、前記MOSFETのソース端子とバックゲート端子間が、トランスファゲートを介して接続されることを特徴とする双方向スイッチ。

IPC (3件)：

H03K 17/687 , H02M 1/08 , H02M 5/293

FI (4件)：

H03K17/687 G , H02M1/08 341A , H02M5/293 Z , H02M1/08 341Z

Fターム (23件)：

5H740BA12 , 5H740BB01 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740JA01 , 5H740JB01 , 5H740KK01 , 5H750BA01 , 5H750CC07 , 5J055AX44 , 5J055BX17 , 5J055CX07 , 5J055DX22 , 5J055DX72 , 5J055EX07 , 5J055EY12 , 5J055EY21 , 5J055EZ12 , 5J055EZ61 , 5J055FX05 , 5J055FX12 , 5J055FX13 , 5J055GX01

引用特許：

審査官引用 (10件)

スイッチング素子およびそれを用いた保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-296471 出願人：三洋電機株式会社
アナログスイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-132119 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
特開平2-280521

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