特許

J-GLOBAL ID：201203002403061186

太陽電池

発明者： 吉川 弘文 ,  和泉 真 ,  葛本 恭崇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (5件)： 野河 信太郎 ,  秋山 雅則 ,  甲斐 伸二 ,  金子 裕輔 ,  稲本 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-115876
公開番号（公開出願番号）：特開2012-244108
出願日： 2011年05月24日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：

【課題】本発明は、p型およびn型半導体領域へ効率よくキャリアを取り出すことができる超格子構造を有する太陽電池を提供する。【解決手段】本発明の太陽電池は、p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれ、かつ、量子層および障壁層が複数回交互に積層された超格子半導体層とを備えた太陽電池であって、前記超格子半導体層は、前記量子層の伝導帯側の量子準位によりミニバンドが形成されるように積層された積層構造を有し、前記ミニバンドの下端のエネルギー準位は、前記障壁層の伝導帯下端のエネルギー準位より低く、前記ミニバンドの上端のエネルギー準位は、前記障壁層の伝導帯下端のエネルギー準位より室温における熱エネルギーkT(k:ボルツマン定数、T:絶対温度)の2倍分だけ低いエネルギー準位よりも高いエネルギー準位であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれ、かつ、量子層および障壁層が複数回交互に積層された超格子半導体層とを備えた太陽電池であって、 前記超格子半導体層は、前記量子層の伝導帯側の量子準位によりミニバンドが形成されるように積層された積層構造を有し、 前記ミニバンドの下端のエネルギー準位は、前記障壁層の伝導帯下端のエネルギー準位より低く、 前記ミニバンドの上端のエネルギー準位は、前記障壁層の伝導帯下端のエネルギー準位より室温における熱エネルギーkT(k:ボルツマン定数、T:絶対温度)の2倍分だけ低いエネルギー準位よりも高いエネルギー準位であることを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (9件)：

5F151AA08 ,  5F151AA09 ,  5F151AA10 ,  5F151CB08 ,  5F151CB21 ,  5F151DA03 ,  5F151DA04 ,  5F151DA13 ,  5F151FA06

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-020833   出願人：株式会社日立製作所
• エネルギー囲み障壁に埋設された量子ドットを有する中間バンド感光性デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-536283   出願人：ザトラスティーズオブプリンストンユニヴァシティ, ザリージェンツオブザユニヴァシティオブミシガン
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-096388   出願人：株式会社日立製作所
• 特許第6433354号
  

審査官引用 (1件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-020833   出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

出願人引用 (3件)

• 「量子ナノ構造を導入した次世代太陽電池」
• "Advances in quantum dot intermediate band solar cells"
• "Quantum dot intermediate band solar cell"

審査官引用 (1件)

• 「量子ナノ構造を導入した次世代太陽電池」