特許
J-GLOBAL ID：201203003204994463

導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネル

発明者：
中尾 祥一郎

中尾 祥一郎 について

, 
山田 直臣

山田 直臣 について

, 
廣瀬 靖

廣瀬 靖 について

, 
長谷川 哲也

長谷川 哲也 について


出願人/特許権者：
財団法人神奈川科学技術アカデミー

財団法人神奈川科学技術アカデミー について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-050268
公開番号（公開出願番号）：特開2012-184151
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：
【課題】低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネルを提供すること。【解決手段】基板と、基板上に設けられ、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に設けられ、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、 前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層と を備えることを特徴とする導電体基板。
IPC (4件)：
C03C 17/34 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  C23C 14/08
FI (4件)：
C03C17/34 Z ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  C23C14/08 D
Fターム (23件)：
4G059AA01 ,  4G059AC11 ,  4G059EA01 ,  4G059EA02 ,  4G059EA04 ,  4G059EB02 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA47 ,  4K029CA02 ,  4K029DA08 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029FA07 ,  4K029JA02 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB03 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05 ,  5G323BB06
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM