特許

J-GLOBAL ID：201203004015608222

熱抵抗測定方法

発明者： 吉岡 貴章
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-001899
公開番号（公開出願番号）：特開2012-145354
出願日： 2011年01月07日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

【課題】本発明は、半導体素子の熱抵抗を正確に測定できる熱抵抗測定方法を提供することを目的とする。【解決手段】本願の発明にかかる熱抵抗測定方法は、半導体素子の順方向ゲートソース間電圧の温度係数を測定する工程と、該半導体素子へのドレイン電圧印加前に該順方向ゲートソース間電圧を測定し、該半導体素子へのドレイン電圧印加によるチャネル温度上昇後に該順方向ゲートソース間電圧を測定し、該ドレイン電圧印加前の該順方向ゲートソース間電圧と該ドレイン電圧印加後の該順方向ゲートソース間電圧との差分を求める工程と、該差分を求める工程における該半導体素子への印加電力、該温度係数、及び該差分から、該半導体素子の熱抵抗値を算出する工程と、を有し、該温度係数を測定する工程と該差分を求める工程の少なくとも一方の工程の前に、該半導体素子の昇温工程を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子の順方向ゲートソース間電圧の温度係数を測定する工程と、 前記半導体素子へのドレイン電圧印加前に前記順方向ゲートソース間電圧を測定し、前記半導体素子へのドレイン電圧印加によるチャネル温度上昇後に前記順方向ゲートソース間電圧を測定し、前記ドレイン電圧印加前の前記順方向ゲートソース間電圧と前記ドレイン電圧印加後の前記順方向ゲートソース間電圧との差分を求める工程と、 前記差分を求める工程における前記半導体素子への印加電力、前記温度係数、及び前記差分から、前記半導体素子の熱抵抗値を算出する工程と、を有し、 前記温度係数を測定する工程と前記差分を求める工程の少なくとも一方の工程の前に、前記半導体素子の昇温工程を有することを特徴とする熱抵抗測定方法。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (1件)：

G01R31/26 B

Fターム (5件)：

2G003AA02 ,  2G003AB15 ,  2G003AB16 ,  2G003AC01 ,  2G003AH05

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-049434
  
• 特開平1-181452
  
• MESFETの熱抵抗測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-011881   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭61-272962
  
• トランジスタのチャネル温度、熱抵抗測定装置およびその測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-048566   出願人：日本電気株式会社