薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、および表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤原康高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-076415
公開番号（公開出願番号）：特開2012-212714
出願日： 2011年03月30日
公開日（公表日）： 2012年11月01日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた、高信頼性で且つ低コストで製造できる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、表示装置を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタアレイ基板は、基板と、前記基板上に形成された第1の水素拡散防止膜と、前記第1の水素拡散防止膜上に形成された、酸化物半導体層を有する複数の薄膜トランジスタと、を備え、前記第1の酸化物拡散防止膜が前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層とほぼ同一の組成からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された第1の水素拡散防止膜と、前記第1の水素拡散防止膜上に形成された、酸化物半導体層を有する複数の薄膜トランジスタと、を備え、前記第1の酸化物拡散防止膜が前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層とほぼ同一の組成からなる薄膜トランジスタアレイ基板。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/363 , G02F 1/136

FI (6件)：

H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 618A , H01L21/363 , G02F1/1368

Fターム (60件)：

2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA41 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092KA04 , 2H092KA08 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092NA11 , 2H092NA17 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103HH04 , 5F103HH05 , 5F103LL13 , 5F103PP03 , 5F103PP20 , 5F103RR07 , 5F103RR08 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN40

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜トランジスタ、その製造方法、表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-295853 出願人：株式会社東芝
酸化物トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-130149 出願人：株式会社ブリヂストン
トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-299678 出願人：凸版印刷株式会社

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