特許
J-GLOBAL ID：201203005992752036

半導体製造装置および半導体製造方法

発明者：
鈴木 邦彦

鈴木 邦彦 について

, 
三谷 慎一

三谷 慎一 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-031030
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169543
出願日： 2011年02月16日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：
【課題】本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、反応室の前記排気口上に、ウェーハ支持部材の水平位置より下方から酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給機構と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウェーハが導入される反応室と、 前記反応室にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、 前記ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、 前記ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、 前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、 前記反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、 前記反応室の前記排気口上に、前記ウェーハ支持部材の水平位置より下方から酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給機構と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 J
Fターム (35件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA02 ,  4K030KA10 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F045AA01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AD15 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EE13 ,  5F045EK07
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 枚葉式気相成長装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-200363   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-343140   出願人：株式会社東芝

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