特許
J-GLOBAL ID：200903018707793718

半導体製造装置

発明者：
斎藤 豪

斎藤 豪 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343140
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173925
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 可燃性の副生成物の除去が、手間がかからない状態で簡単かつ確実に行うことができ、装置稼働率も向上する半導体製造装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ13を収納すると共に、ゲートバルブ23を中間部に設けた真空配管24を介して接続された真空ポンプ25により所定の減圧状態とした反応室12内に、材料ガス供給手段22から所定の材料ガスを供給して半導体ウェハ13に所定の成膜を行うようにした装置で、酸化剤供給手段29をゲートバルブ23より上流側の真空配管24に連通するように設け、半導体ウェハ13への成膜の際に真空配管24内部に堆積した副生成物を、所定の成膜を終えた後に希釈した酸素を流して不働態化する。これにより不働態化により燃焼の虞のなくなった副生成物を安全な状態で除去することができる。
請求項（抜粋）：
反応室内に被成膜部材を収納すると共に、該反応室内に材料ガスを供給しながら前記被成膜部材に所定の成膜を行う半導体製造装置において、前記被成膜部材への成膜の際に生じた副生成物を不働態化する手段が設けられていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 B
Fターム (26件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030EA12 ,  4K030KA49 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045EE01 ,  5F045EE11 ,  5F045EG01 ,  5F045EG07 ,  5F045EG10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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