光電変換素子及び光電気化学電池

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：飯田敏三 , 宮前尚祐 , 梅山謙介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-184729
公開番号（公開出願番号）：特開2012-053983
出願日： 2010年08月20日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：

【課題】本発明の課題は、変換効率が高く、さらに耐久性に優れた光電変換素子及び光電気化学電池を提供することにある。【解決手段】導電性支持体1と、色素を含む多孔質半導体層で構成された感光体層2と、電荷移動体層3と、対極4とからなる光電変換素子10であって、該感光体層2が多層構造を有し、該多孔質半導体層が一般式Mz(LL1)m1(LL2)m2(X)m3・CI(ただし、Mは金属原子、LL1は金属原子に窒素原子で2座又は3座配位できる特定の配位子、LL2は窒素原子で2座又は3座配位できる他の配位子、Xは特定の基等で配位する1座又は2座の配位子である。m1は0〜3の整数、m2は0〜2の整数であるが、m1とm2のいずれか一方は1以上の整数である。m3は0〜2の整数である。CIは電荷中和の対イオンを表す。)で表される少なくとも1つの色素で増感され、該多孔質半導体層の可視光波長でのヘイズ率が60%以上である光電変換素子10である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性支持体と、色素を含む多孔質半導体層で構成された感光体層と、電荷移動体層と、対極とからなる光電変換素子であって、該感光体層が多層構造を有し、該多孔質半導体層が下記一般式(1)で表される少なくとも1つの色素を含有し、該多孔質半導体層の可視光領域の波長におけるヘイズ率が60%以上であることを特徴とする光電変換素子。 Mz(LL1)m1(LL2)m2(X)m3・CI ・・・(1) [ Mzは金属原子を表し、LL1は下記一般式(2)で表される2座又は3座の配位子であり、LL2は下記一般式(3)で表される置換基を有していてもよい2座又は3座の配位子である。 m1は0〜3の整数を表し、m1が2以上のときLL1は同じでも異なっていてもよい。m2は0〜2の整数を表し、m2が2のときLL2は同じでも異なっていてもよい。ただし、m1とm2のいずれか一方は1以上の整数である。m3は0〜3の整数を表す。 Xは配位子を表し、アシルオキシ基、アシルチオ基、チオアシルオキシ基、チオアシルチオ基、アシルアミノオキシ基、チオカルバメート基、ジチオカルバメート基、チオカルボネート基、ジチオカルボネート基、トリチオカルボネート基、アシル基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基及びアリールオキシ基からなる群から選ばれた基で配位する1座又は2座の配位子、あるいはハロゲン原子、カルボニル、ジアルキルケトン、1,3-ジケトン、カルボンアミド、チオカルボンアミド又はチオ尿素からなる1座又は2座の配位子を表す。]

IPC (2件)：

H01M 14/00 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P , H01L31/04 Z

Fターム (10件)：

5F151AA14 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032CC11 , 5H032EE02 , 5H032EE16 , 5H032EE20 , 5H032HH00 , 5H032HH04 , 5H032HH07

引用特許：

審査官引用 (8件)

色素増感型光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-010153 出願人：シャープ株式会社
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-274000 出願人：株式会社東芝
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-248144 出願人：パナソニック電工株式会社

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