特許
J-GLOBAL ID：201203006149045650

シリコン貫通電極(TSV)を露出させ接触させる高歩留まりの方法

発明者：
アンドレイ、ポール、ステファン

アンドレイ、ポール、ステファン について

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ツァン、コーネリア、カン-アイ

ツァン、コーネリア、カン-アイ について

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スプロジス、エドマンド、ジュリス

スプロジス、エドマンド、ジュリス について

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コッテ、ジョン、マイケル

コッテ、ジョン、マイケル について

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トルネッロ、ジェイムズ、アンソニー

トルネッロ、ジェイムズ、アンソニー について

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ラファロ、マイケル、フランシス

ラファロ、マイケル、フランシス について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-544872
公開番号（公開出願番号）：特表2012-515432
出願日： 2010年01月08日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：
【課題】 シリコン貫通電極を露出させ接触させるための高歩留まりの技法を提供する。【解決手段】 前側および裏側を有する本体を有する主ウェハを含むアセンブリを取得する。主ウェハは、裏側より上で終端する複数のブラインド電気バイアを有する。ブラインド電気バイアは、導電コアを有し、コアの隣接する側方領域および端部領域に周囲絶縁体を有する。ハンドラ・ウェハは、主ウェハの本体の前側に固定されている。追加のステップは、裏側でブラインド電気バイアを露出させることを含む。ブラインド電気バイアは、裏側全体で様々な高さに露出される。別のステップは、裏側に第1の化学機械研磨プロセスを適用して、露出ステップの後に残っているコアの端部領域に隣接した周囲絶縁体を開放すると共に、バイア導電コア、コアの側方領域に隣接した周囲絶縁体、および主ウェハの本体を同一平面にすることを含む。更に別のステップは、裏側をエッチングして、裏側全体でバイアの各々の均一なスタンドオフ高さを与えることを含む。更に、裏側全体に誘電体を堆積し、裏側に第2の化学機械研磨プロセスを適用して、バイアの導電コアに隣接した誘電体のみを開放する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
アセンブリであって、 前側および裏側を有する本体を有する主ウェハであって、前記主ウェハが前記裏側より上で終端する複数のブラインド電気バイアを含み、前記ブラインド電気バイアが導電コアを有し、前記コアの隣接する側方領域および端部領域に周囲絶縁体を有する、前記主ウェハと、 前記前側に固定されたハンドラ・ウェハと、 を含む前記アセンブリを取得するステップと、 前記裏側で前記ブラインド電気バイアを露出させるステップであって、前記ブラインド電気バイアが裏側全体で様々な高さに露出される、前記ステップと、 前記裏側に第1の化学機械研磨プロセスを適用して、前記露出ステップの後に残っている前記コアの前記端部領域に隣接した前記周囲絶縁体を開放すると共に、前記バイア導電コア、前記コアの前記側方領域に隣接した前記周囲絶縁体、および前記主ウェハの前記本体を同一平面にするステップと、 前記裏側をエッチングして、前記裏側全体で前記バイアの各々の均一なスタンドオフ高さを与える、ステップと、 前記裏側全体に誘電体を堆積するステップと、 前記裏側に第2の化学機械研磨プロセスを適用して、前記バイアの前記導電コアに隣接した前記誘電体のみを開放するステップと、 を含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768
FI (1件)：
H01L21/88 J
Fターム (17件)：
5F033JJ19 ,  5F033MM30 ,  5F033NN33 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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