特許
J-GLOBAL ID:201203008260725256
半導体装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
田下 明人
, 立石 克彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-278318
公開番号(公開出願番号):特開2012-125786
出願日: 2010年12月14日
公開日(公表日): 2012年07月05日
要約:
【課題】半導体素子を被接合部材に対して確実にはんだ接合し得る半導体装置を提供する。【解決手段】IC素子20がはんだ接合されるリードフレーム11の接合面12には、内方に塗布されたはんだ30の外方への流出を防止する環状溝13が形成されている。そして、接合面12のうち環状溝13内の中心13aの近傍には、はんだ30に対する濡れ性を変化させた第1表面状態S1と第2表面状態S2とが上記中心13aから外方に向けて放射状に区分けされている。【選択図】図4
請求項(抜粋):
はんだを用いることで半導体素子が被接合部材にはんだ接合される半導体装置であって、
前記被接合部材の接合面には、内方に塗布された前記はんだの外方への流出を防止する環状溝が形成されており、
前記接合面のうち前記環状溝内の中心の近傍には、前記はんだに対する濡れ性を変化させた第1表面状態と第2表面状態とが前記中心から外方に向けて放射状に区分けされるように設けられることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
B23K 1/14
, B23K 1/00
, H01L 21/52
FI (4件):
B23K1/14 A
, B23K1/00 330E
, B23K1/14 B
, H01L21/52 A
Fターム (3件):
5F047AA11
, 5F047AB01
, 5F047BA06
引用特許:
審査官引用 (4件)
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回路装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-230409
出願人:三洋電機株式会社, 関東三洋セミコンダクターズ株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-058197
出願人:株式会社東芝
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ダイボンディング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-340399
出願人:トヨタ自動車株式会社
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