特許

J-GLOBAL ID：201203011524817201

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 剛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-183616
公開番号（公開出願番号）：特開2012-043965
出願日： 2010年08月19日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

【課題】検波できる周波数が高く、トンネル電流が流れやすい半導体装置を提供する。【解決手段】第1の導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層に接して形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層に接して形成された第2の導電型の第3の半導体層と、を有し、前記第1の半導体層において、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との界面より所定の距離離れた位置には第1の半導体領域が形成されており、前記第1の半導体領域における不純物濃度は、前記第1の半導体領域を除く前記第1の半導体層における不純物濃度よりも高いものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

第1の導電型の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層に接して形成された第2の半導体層と、 前記第2の半導体層に接して形成された第2の導電型の第3の半導体層と、 を有し、 前記第1の半導体層において、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との界面より所定の距離離れた位置には第1の半導体領域が形成されており、 前記第1の半導体領域における不純物濃度は、前記第1の半導体領域を除く前記第1の半導体層における不純物濃度よりも高いものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/88 ,  H01L 29/861 ,  H01L 27/095 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06

FI (6件)：

H01L29/88 Z ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 F ,  H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L27/06 F

Fターム (18件)：

5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-010756   出願人：沖電気工業株式会社
• バリットダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-343604   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-165974   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-010756   出願人：沖電気工業株式会社
• バリットダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-343604   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-165974   出願人：富士通株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• GaAsSb-based backward diodes for highly sensitive millimetre-wave detectors

審査官引用 (1件)

• GaAsSb-based backward diodes for highly sensitive millimetre-wave detectors