特許
J-GLOBAL ID:201203013284821101
シンクロトロン
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-140059
公開番号(公開出願番号):特開2012-004055
出願日: 2010年06月21日
公開日(公表日): 2012年01月05日
要約:
【課題】機器構成が単純であり、かつ多極電磁石の励磁量を変更する際の閉軌道誤差の発生によるチューンの変化を簡単な手順で抑制することが可能なシンクロトロンを提供することを課題とする。【解決手段】荷電粒子ビームを加速して出射するシンクロトロンであって、シンクロトロン中を周回する荷電粒子ビームの位置を測定するビーム位置モニタと、シンクロトロン中を周回する荷電粒子ビームの軌道を補正する軌道補正手段と、シンクロトロンの周回軌道上に四極磁場以上の多極磁場を発生させる多極電磁石とを備え、さらにビーム位置モニタと多極電磁石が入れ子状に設置されていることによって、上記課題を解決することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
荷電粒子ビームを加速して出射するシンクロトロンであって、
前記シンクロトロン中を周回する荷電粒子ビームの位置を測定するビーム位置モニタと、
前記シンクロトロン中を周回する前記荷電粒子ビームの軌道を補正する軌道補正手段と、
前記シンクロトロンの周回軌道上に四極磁場以上の多極磁場を発生させる多極電磁石とを備え、
前記ビーム位置モニタと前記多極電磁石が入れ子状に設置されていることを特徴とするシンクロトロン。
IPC (1件):
FI (3件):
H05H13/04 Q
, H05H13/04 R
, H05H13/04 E
Fターム (7件):
2G085AA13
, 2G085BA14
, 2G085BA15
, 2G085BA19
, 2G085BC02
, 2G085CA20
, 2G085CA26
引用特許:
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