特許
J-GLOBAL ID：201203014855558426
化合物半導体層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-178484
公開番号（公開出願番号）：特開2012-038955
出願日： 2010年08月09日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：
【課題】工程数の増大及び工程の長時間化が抑制された、転位の少ない化合物半導体層をエピタキシャル成長できる化合物半導体層の形成方法を提供する。【解決手段】第1の化合物半導体層の主面を酸化して、主面、及び主面から第1の化合物半導体層内部に延伸する転位に沿った第1の化合物半導体層内部の転位領域に、酸化膜を形成するステップと、転位領域に形成された酸化膜を除去せずに、主面に形成された酸化膜を除去するステップと、転位領域に形成された酸化膜の主面に露出した部分を覆うように、主面上に第2の化合物半導体層をエピタキシャル成長させるステップとを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の化合物半導体層の主面を酸化して、前記主面、及び前記主面から前記第1の化合物半導体層内部に延伸する転位に沿った前記第1の化合物半導体層内部の転位領域に、酸化膜を形成するステップと、
前記転位領域に形成された前記酸化膜を除去せずに、前記主面に形成された前記酸化膜を除去するステップと、
前記転位領域に形成された前記酸化膜の前記主面に露出した部分を覆うように、前記主面上に第2の化合物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと
を含むことを特徴とする化合物半導体層の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AF04
, 5F045AF08
, 5F045AF12
, 5F045AF20
, 5F045BB11
, 5F045BB12
, 5F045DA67
, 5F045HA02
