特許
J-GLOBAL ID：200903063835279828
窒化ガリウム単結晶基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
久保山 隆
, 中山 亨
, 榎本 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-061027
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273661
出願日： 2003年03月07日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】転位密度が小さく反りの少ない窒化物系3-5族化合物半導体単結晶の自立基板を提供する。【解決手段】(1)一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体結晶であって、転位密度の低減された結晶を有するエピタキシャル基板を製造するに当り、突起状の形態を複数有する該3-5族化合物半導体結晶を用い、その結晶先端部付近のみが開口部となるように該3-5族化合物半導体とは異種の材料からなるマスクで覆う第1の工程と、該開口部の3-5族化合物半導体結晶を種結晶とし、該3-5族化合物半導体結晶を横方向成長させる第2の工程を有することを特徴とする転位密度の低減された該3-5族化合物半導体結晶有するエピタキシャル基板の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体結晶であって、転位密度の低減された結晶を有するエピタキシャル基板を製造するに当り、突起状の形態を複数有する該3-5族化合物半導体結晶を用い、その結晶先端部付近のみが開口部となるように該3-5族化合物半導体とは異種の材料からなるマスクで覆う第1の工程と、該開口部の3-5族化合物半導体結晶を種結晶とし、該3-5族化合物半導体結晶を横方向成長させる第2の工程を有することを特徴とする転位密度の低減された該3-5族化合物半導体結晶を有するエピタキシャル基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/20
, H01L21/205
, H01L33/00
H01L21/20
, H01L21/205
, H01L33/00 C
5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F045AA04
, 5F045AA15
, 5F045AB14
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045DA53
, 5F045DB02
, 5F052CA01
, 5F052DA04
, 5F052DB10
, 5F052GC06
, 5F052GC10
, 5F052JA07
, 5F052KA01
