特許

J-GLOBAL ID：200903094937409508

結晶膜、結晶基板および半導体装置

発明者： 森田 悦男 ,  村上 洋介 ,  琵琶 剛志 ,  奥山 浩之 ,  土居 正人 ,  大畑 豊治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010708
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217115
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 転位の存在する結晶下地を用いて、低転位密度の結晶膜,結晶基板および半導体装置が得られるようにする。【解決手段】 成長用基板11の一面側にバッファ層12を介して結晶層13が設けられている。結晶層13には、下から伸びる各転位D1 の終端に空間部13a,13bが形成されている。空間部13a,13bにより転位D1 と上層部は隔てられ、上層部側への各転位D1 の伝播が阻止されている。空間部13a,13bはまた、バーガース・ベクトルで表される転位D1 の変位が保存されて新たに転位が生じる場合に、その変位の向きを変化させる。転位D1 は空間部13a,13bによって一様に遮断され、空間部13a,13bより上層部では低転位密度の結晶層が得られる。

請求項（抜粋）：

転位が存在する下地層上に成長させる結晶膜であって、前記下地層から上層側へ伝播しようとする転位の終端位置に対応して空間部が形成されていることを特徴とする結晶膜。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

Fターム (20件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037577   出願人：三菱電線工業株式会社
• 結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-217911   出願人：ソニー株式会社
• 結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-010709   出願人：ソニー株式会社
• 結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-301158   出願人：日本電気株式会社
• 半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-336307   出願人：ソニー株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-164169   出願人：パイオニア株式会社