特許
J-GLOBAL ID：201203016463790552
Siクラスレートの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-091814
公開番号（公開出願番号）：特開2012-224488
出願日： 2011年04月18日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：
【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコンクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のシリコンクラスレートの製造方法は、シリコンウエハとNaとを混合して650°C以上の温度で加熱し、SiとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたSiとNaとからなる化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Naは、シリコンクラスレートを生成するために用いられるSiに対するモル比が1.0よりも大きくなるように供給されることが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Siクラスレートの製造方法であって、
シリコンウエハとNaとを混合して650°C以上の温度で加熱して、SiとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、
前記陽圧加熱処理工程によって生成されたSiとNaとからなる前記化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する陰圧加熱処理工程と、
を備えていることを特徴とするSiクラスレートの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4G072AA01
, 4G072AA02
, 4G072AA50
, 4G072BB09
, 4G072FF09
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072JJ08
, 4G072LL03
, 4G072MM01
, 4G072UU02
