特許

J-GLOBAL ID：201203016463790552

Siクラスレートの製造方法

発明者： 野々村 修一 ,  久米 徹二 ,  伴 隆幸 ,  大橋 史隆
出願人/特許権者： 国立大学法人岐阜大学
代理人 (1件)： 特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-091814
公開番号（公開出願番号）：特開2012-224488
出願日： 2011年04月18日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコンクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のシリコンクラスレートの製造方法は、シリコンウエハとNaとを混合して650°C以上の温度で加熱し、SiとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたSiとNaとからなる化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Naは、シリコンクラスレートを生成するために用いられるSiに対するモル比が1.0よりも大きくなるように供給されることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Siクラスレートの製造方法であって、 シリコンウエハとNaとを混合して650°C以上の温度で加熱して、SiとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、 前記陽圧加熱処理工程によって生成されたSiとNaとからなる前記化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する陰圧加熱処理工程と、 を備えていることを特徴とするSiクラスレートの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 33/02

FI (1件)：

C01B33/02 D

Fターム (11件)：

4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072AA50 ,  4G072BB09 ,  4G072FF09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ08 ,  4G072LL03 ,  4G072MM01 ,  4G072UU02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• クラスレート化合物薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-147359   出願人：日本電気株式会社
• クラスレート化合物およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-342101   出願人：日本電気株式会社