半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-115634
公開番号（公開出願番号）：特開2012-244101
出願日： 2011年05月24日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：

【課題】より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100を、第1半導体部と、第2半導体部とを備える構成とする。第1半導体部には、接合界面側の表面に形成されかつ第1の方向に延在する第1電極16を設ける。そして、第2半導体部には、接合界面で第1電極16と接合されかつ第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2電極26を設ける。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

接合界面側の表面に形成されかつ第1の方向に延在する第1電極を有する第1半導体部と、前記接合界面で前記第1電極と接合されかつ前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2電極を有し、前記接合界面で前記第1半導体部と貼り合わせて設けられた第2半導体部とを備える半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 27/14 , H01L 25/00 , H01L 21/02 , H01L 27/00

FI (6件)：

H01L21/88 T , H01L21/88 Z , H01L27/14 D , H01L25/00 B , H01L21/02 B , H01L27/00 301B

Fターム (40件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118FA06 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 4M118HA31 , 4M118HA33 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM21 , 5F033MM22 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ00 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033UU01 , 5F033XX00

引用特許：

審査官引用 (5件)

配線回路基板装置および接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-280859 出願人：日東電工株式会社
受光領域が拡張されたイメージセンサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-376976 出願人：マグナチップセミコンダクター有限会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-336390 出願人：株式会社リコー

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