半導体装置、およびそれを用いた超音波診断装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：磯野道造 , 多田悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-241711
公開番号（公開出願番号）：特開2012-095168
出願日： 2010年10月28日
公開日（公表日）： 2012年05月17日
要約：

【課題】良好な線形性を有し、かつ電力損失の少ない双方向アナログスイッチの半導体装置を提供する。また、検出精度の高い超音波診断装置を提供する。【解決手段】双方向にオンまたはオフ可能なスイッチ回路と、前記スイッチ回路の駆動回路を内蔵した双方向アナログスイッチの半導体装置であって、前記駆動回路は第一および第二の電源に接続され、前記第一の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最大電圧値以上であり、前記第二の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最小電圧値以下であり、さらに前記駆動回路は前記第一の電源と前記スイッチ回路との間に、直列に接続されたツェナダイオードとP型MOSFETを備えている。また、超音波診断装置であって、前記半導体装置を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

双方向にオンまたはオフ可能なスイッチ回路と、前記スイッチ回路の駆動回路を具備した半導体装置であって、前記駆動回路は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最大電圧値以上である第一の電源電圧を有する第一の電源に接続されるとともに、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最小電圧値以下である第二の電源電圧を有する第二の電源に接続され、前記駆動回路は、前記第一の電源と前記スイッチ回路との間に、直列に接続されたツェナダイオードとP型MOSFETとを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H03K 17/687 , A61B 8/00 , H01L 29/786

FI (3件)：

H03K17/687 G , A61B8/00 , H01L29/78 613Z

Fターム (32件)：

4C601EE15 , 4C601GB21 , 5F110AA09 , 5F110AA16 , 5F110BB12 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD13 , 5F110HJ06 , 5F110HJ13 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN71 , 5J055AX11 , 5J055BX16 , 5J055CX00 , 5J055DX09 , 5J055DX22 , 5J055DX48 , 5J055DX74 , 5J055DX82 , 5J055EX07 , 5J055EY13 , 5J055EY21 , 5J055EZ20 , 5J055FX05 , 5J055FX12 , 5J055FX37 , 5J055GX01 , 5J055GX02 , 5J055GX06 , 5J055GX07

引用特許：

審査官引用 (5件)

特許第6617906号
電力制御用光結合素子およびこの電力制御用光結合素子を用いた電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-213142 出願人：シャープ株式会社
ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するための回路及び方法並びにそのような回路を備えた超音波試験装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-574228 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ

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