特許
J-GLOBAL ID：201003002048300579

改良された電力用スイッチングトランジスター

発明者：
マクナット,ティーワイ,アール.

マクナット,ティーワイ,アール. について

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ステュワート,エリック

ステュワート,エリック について

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クラーク,ローランド,シー.

クラーク,ローランド,シー. について

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サイ,ランビール

サイ,ランビール について

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ヴァン キャンペン,スティーブン

ヴァン キャンペン,スティーブン について

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シャーウィン,マーク,イー.

シャーウィン,マーク,イー. について


出願人/特許権者：
ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション

ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-512201
公開番号（公開出願番号）：特表2010-530616
出願日： 2008年06月13日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：
実施例によれば、半導体集積デバイスが、ソースとこのソースの各々の側部に配置されたゲートを有する第1の垂直接合電界効果トランジスター(Vertical Junction Field Effect Transistor: VJFET)と、ソースとこのソースの各々の側部に配置されたゲートを有する第2の垂直接合電界効果トランジスターを含む。第1の垂直接合電界効果トランジスター(VJFET)の少なくとも1つのゲートは、第2のVJFETの少なくとも1つのゲートから、チャンネルにより分離される。半導体集積デバイスは、更に、第1と第2のVJFETの間に配置された接合バリアーショトキー(Junction Barrier Schottky:JBS)ダイオードを含む。このJBSダイオードは、このチャンネルに対する整流コンタクトを構成し、かつ、第1と第2のVJFETの少なくとも1つのゲートに対する非整流コンタクトを構成する金属コンタクトを備え、この金属コンタクトが、このJBSダイオードのアノードである。第1の電気接続手段が、第1のVJFETのゲート、第2のVJFETのゲート、及び、JBSダイオードのアノードを、共通ゲート電極に連結し、及び、第2の電気接続手段が、第1のVJFETのソースと第2のVJFETのソースを、共通ソース電極に連結する。
請求項（抜粋）：
ソースとソースの各々の側部に配置されたゲートとを備える第1の垂直接合電界効果トランジスターと、 ソースとソースの各々の側部に配置されたゲートとを備える第2の垂直接合電界効果トランジスターと、 第1及び第2の垂直接合電界効果トランジスターの間に配置された接合バリアーショトキーダイオードと、 を備え、 第1の垂直接合電界効果トランジスターの少なくとも1つのゲートは、第2の垂直接合電界効果トランジスターの少なくとも1つのゲートから、チャンネルにより分離され、 前記接合バリアーショトキーダイオードは、前記チャンネルに対する整流コンタクトを構成し、かつ、第1及び第2の垂直接合電界効果トランジスターの少なくとも1つのゲートに対する非整流コンタクトを構成する金属コンタクトを備え、 前記金属コンタクトは、前記接合バリアーショトキーダイオードのアノードであり、 さらに、第1の垂直接合電界効果トランジスターのゲートと第2の垂直接合電界効果トランジスターのゲートと前記接合バリアーショトキーダイオードのアノードとを共通ゲート電極に連結する第1の電気接続部と 第1の垂直接合電界効果トランジスターのソースと第2の垂直接合電界効果トランジスターのソースとを共通ソース電極に連結する第2の電気接続部と を備えることを特徴とする半導体集積デバイス。
IPC (11件)：
H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06
FI (10件)：
H01L29/80 C ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/48 D ,  H01L29/91 K ,  H01L27/06 F
Fターム (18件)：
4M104AA03 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD96 ,  4M104FF02 ,  4M104FF03 ,  4M104GG03 ,  4M104GG11 ,  4M104GG13 ,  5F102FA00 ,  5F102GA14 ,  5F102GB04 ,  5F102GC05 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102HC07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Trench Power JFET with Integrated Junction Barrier Schottky Diode

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