3次元デバイスの集積化方法および集積デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-043454
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156514
出願日： 2012年02月29日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：

【課題】高い集積密度を有するデバイス及び集積化方法の提供。【解決手段】第1および第2の加工物の表面を各々約5〜10Åの表面粗さまで研磨し、第1および第2の加工物の研磨された表面は、互いに接合される。第3の加工物の表面は、前記表面粗さまで研磨される。第3の加工物の表面は、第1および第2の加工物に接着される。第1、第2および第3の加工物は、各々好ましくはウエハ形態にある1つの表面上に形成される薄い材料を有する半導体デバイスであり得る。薄い材料は、所望の表面粗さまで研磨され、その後、互いに接合される。薄い材料は、各々この薄い材料が上に形成される材料の表面非平面度の約1〜10倍の厚さを有する。多数のデバイスが互いに接合され得、デバイスは、異なるタイプのデバイスまたは異なる技術であり得る。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

第1、第2および第3の加工物のそれぞれの第1の表面を各々所望の表面粗さまで研磨すること; 前記第1および第2の加工物の前記第1の表面を互いに接合すること; 接合後、前記第1および第2の加工物の一方の第2の表面を前記表面粗さまで研磨すること;および前記第3の加工物の前記第1の表面を前記研磨された第2の表面に接合することを含む各々第1の表面およびその反対側の第2の表面を有する加工物を集積化する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/00

FI (2件)：

H01L27/08 321G , H01L27/00 301C

Fターム (11件)：

5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC05 , 5F048AC07 , 5F048AC10 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF19 , 5F048CB02 , 5F048CB03

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-294846
貼り合わせSOI基板の作製方法及びSOI基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-079783 出願人：キヤノン株式会社
特開昭61-174661

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