有機半導体材料

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-031156
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169550
出願日： 2011年02月16日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：

【課題】溶媒に対する溶解度を向上させた有機半導体材料を提供する。【解決手段】有機半導体材料は含硫黄縮合環化合物を含有する。含硫黄縮合環化合物は、下記一般式(1):(「・」は縮合位置を示している。)で示される単位Aをm個と、下記一般式(2):(「・」は縮合位置を示している。)で示される単位Bをn個とを、4≦3m+n≦10、m≧1、n≧0の関係を満たすように組み合わせてなる縮合環数が4〜10の縮合環骨格を有し、縮合環骨格を構成する各ベンゼン環には、特定の官能基が縮合環骨格上において非対称となるように結合されている。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

含硫黄縮合環化合物を含有する有機半導体材料であって、前記含硫黄縮合環化合物は、下記一般式(1):

IPC (5件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , C07D 495/04 , C07D 333/50

FI (5件)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , C07D495/04 101 , C07D333/50

Fターム (10件)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB01 , 4C071BB08 , 4C071CC22 , 4C071DD40 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG01 , 4C071LL05

引用特許：

審査官引用 (5件)

ジベンゾチオフェン誘導体、製造方法及びその用途
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-020471 出願人：東ソー株式会社
有機トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-257374 出願人：三井化学株式会社
ベンゾジチオフェン系化合物、該化合物を含有する組成物および有機電界発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-302247 出願人：国立大学法人和歌山大学, 三菱化学株式会社

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