特許
J-GLOBAL ID：201203021551703752
半導体パッケージ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-005191
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258920
出願日： 2011年01月13日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】内部の個別素子を衝撃から保護し、かつ電磁波干渉(EMI)または電磁波耐性(EMS)特性に優れた電磁波遮蔽構造を有する半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体パッケージ10は、側面に少なくとも一つのキャビティ19が形成されて、キャビティに電極13が形成された基板11、基板の一面に実装される少なくとも一つの電子部品16、電子部品を密封する絶縁性のモールド部14、及びモールド部に密着して、モールド部の外部面を覆ってキャビティに形成された電極と電気的に連結される導電性のシールド部15を含んで構成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
側面に少なくとも一つのキャビティが形成されて、前記キャビティ内に電極が形成された基板;
前記基板の一面に実装される少なくとも一つの電子部品;
前記電子部品を密封する絶縁性のモールド部;及び
前記モールド部に密着して、前記モールド部の外部面を覆って前記キャビティに形成された前記電極と電気的に連結される導電性のシールド部;
を含む半導体パッケージ。
IPC (3件)：
H01L 23/00
, H01L 23/28
, H01L 23/12
H01L23/00 C
, H01L23/28 F
, H01L23/12 E
4M109BA04
, 4M109EA02
, 4M109EE07
