パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-153509
公開番号（公開出願番号）：特開2012-018197
出願日： 2010年07月06日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：

【解決手段】酸不安定基を有する繰り返し単位を含み、アルカリ現像液に難溶の高分子化合物と、光酸発生剤と、アミノ基を発生する光塩基発生剤と、アミノ基を有し、光酸発生剤より発生する酸を中和することによって不活性化させるクエンチャーと、有機溶媒とを含むレジスト材料を基板上に塗布、ベークし、透過率が80%以上の高透明な位相シフトマスクを用いて露光、ベーク、現像の工程を経て、露光量の少ない未露光部分と露光量の多い過露光部分の膜を現像液に溶解させず、露光量が中間の露光領域を現像液に溶解させたパターンを得るパターン形成方法。【効果】本発明によれば、クエンチャーと光塩基発生剤基からのアミノ基の総量が光酸発生剤からの酸の量よりも多い組成のレジスト材料を用いると、未露光部と過露光部がアルカリ現像液に不溶で、中間の露光量部分だけ現像液に溶解するデュアルトーンの特性を有することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸不安定基を有する繰り返し単位を含み、アルカリ現像液に難溶の高分子化合物と、光酸発生剤と、アミノ基を発生する光塩基発生剤と、アミノ基を有し、光酸発生剤より発生する酸を中和することによって不活性化させるクエンチャーと、有機溶媒とを含むレジスト材料を基板上に塗布、ベークし、透過率が80%以上の高透明な位相シフトマスクを用いて露光、ベーク(PEB)、現像の工程を経て、露光量の少ない未露光部分と露光量の多い過露光部分の膜を現像液に溶解させず、露光量が中間の露光領域を現像液に溶解させたパターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , G03F 1/68

FI (7件)：

G03F7/004 503B , G03F7/004 503A , G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , H01L21/30 569F , H01L21/30 502R , G03F1/08 A

Fターム (39件)：

2H095BA01 , 2H095BB03 , 2H125AF17P , 2H125AF34P , 2H125AF38P , 2H125AG00P , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH19 , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ18X , 2H125AJ63X , 2H125AJ63Y , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ69X , 2H125AJ69Y , 2H125AJ92Y , 2H125AM22P , 2H125AM32P , 2H125AM94P , 2H125AM99P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN41P , 2H125AN42P , 2H125AN88P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125FA22 , 5F046LA14 , 5F146LA14

引用特許：

出願人引用 (5件)

特許第6338934号
特開平4-218046
リソグラフィー・パターニング法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-529744 出願人：エヌエックスピービーヴィ

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審査官引用 (5件)

特許第6338934号
特開平4-218046
リソグラフィー・パターニング法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-529744 出願人：エヌエックスピービーヴィ

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