位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクを用いたパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071482
公開番号（公開出願番号）：特開平10-123694
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】高精度なアライメントマークが不要で、製造工程が簡略で、かつ欠陥の除去が容易な位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】位相シフトマスク10には、レベンソン型位相シフト部とハーフトーン型位相シフト部とが混在している。レベンソン型位相シフト部には、互いに異なる位相で露光光を透過する第1および第2の光透過領域Tn1 、Ta1 と、その間に半遮光シフタ膜3と遮光膜5との積層構造よりなる遮光領域S1 が形成されている。ハーフトーン型位相シフト部には、石英基板1の表面が露出した第3の光透過領域Tn2 とその石英基板1の表面に半遮光シフタ膜3が形成された第4の光透過領域Ta2 とが設けられている。

請求項（抜粋）：

レベンソン型位相シフト部とハーフトーン型位相シフト部とを有する位相シフトマスクの製造方法であって、基板の表面全面に半遮光シフタ膜と遮光膜とを順次積層して形成する工程を備え、前記半遮光シフタ膜は、3%以上30%以下の透過率を有し、かつ前記半遮光シフタ膜の透過前の露光光の位相が透過後の露光光の位相と異なった位相となるように形成され、さらに、前記遮光膜と前記半遮光シフタ膜とを選択的に除去することにより、前記遮光膜と前記半遮光シフタ膜とが前記レベンソン型位相シフト部の遮光領域を挟んで互いに隣り合う第1および第2の光透過領域と前記ハーフトーン型位相シフト部の第3の光透過領域に隣接する第4の光透過領域との前記基板の表面を露出させ、かつ前記レベンソン型位相シフト部の前記遮光領域と前記ハーフトーン型位相シフト部の前記第3の光透過領域との前記基板表面を覆う工程と、前記第1の光透過領域を透過する露光光の位相が前記第2の光透過領域を透過する露光光の位相と異なるように、前記第1および第2の光透過領域のいずれかの露出した前記基板の表面全面に溝を形成する工程と、前記第3の光透過領域の前記遮光膜を除去する工程とを備えた、位相シフトマスクの製造方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 , G03F 7/26 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 A , G03F 7/20 , G03F 7/26 , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (4件)

露光用マスク、露光マスク用基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-048301 出願人：株式会社東芝
位相シフトフオトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-122055 出願人：大日本印刷株式会社
露光用マスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056193 出願人：株式会社東芝

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