オプトエレクトロニクスモジュールおよびオプトエレクトロニクスモジュールの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：久野琢也 , 高橋佳大 , 来間清志 , 星公弘 , 二宮浩康 , 住吉秀一 , 篠良一 , 上島類 , 宮城康史 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-512198
公開番号（公開出願番号）：特表2012-528470
出願日： 2010年04月28日
公開日（公表日）： 2012年11月12日
要約：

本発明は、放射出力半導体素子(1)と電気素子(2)と支持基板(3)を備えたオプトエレクトロニクスモジュールに関する。この場合、支持基板(3)は上面(31)と下面(33)を有しており、下面(33)には第1の電気端子(8)が、上面(31)には第2の電気端子(5a,5b,6a,6b,7a,7b)が配置されている。電気素子(2)は、支持基板(3)の上面(31)に配置されていて、第1の電気端子(8)と導電接続されている。放射出力半導体素子(1)は、電気素子(2)において支持基板(3)とは反対側に配置されている。さらに放射出力半導体素子(1)は導体構造部(4a,4b)を有しており、この導体構造部(4a,4b)は第2の電気端子(5a,5b,6a,6b,7a,7b)と導電接続されている。

請求項（抜粋）：

放射出力半導体素子(1)と電気素子(2)と支持基板(3)を備えたオプトエレクトロニクスモジュールにおいて、前記支持基板(3)は上面(31)と下面(33)を有しており、前記下面(33)には第1の電気端子(8)が、前記上面(31)には第2の電気端子(5a,5b,6a,6b,7a,7b)が配置されており、前記電気素子(2)は、前記支持基板(3)の上面(31)に配置されていて、前記第1の電気端子(8)と導電接続されており、前記放射出力半導体素子(1)は、前記電気素子(2)の、前記支持基板(3)とは反対側に配置されており、前記放射出力半導体素子(1)は導体構造部(4a,4b)を備え、該導体構造部(4a,4b)は前記第2の電気端子(5a,5b,6a,6b,7a,7b)と導電接続されていることを特徴とする、オプトエレクトロニクスモジュール。

IPC (4件)：

H05K 1/18 , H05K 3/34 , H01L 23/28 , H01L 33/48

FI (6件)：

H05K1/18 S , H05K1/18 F , H05K1/18 Q , H05K3/34 501E , H01L23/28 D , H01L33/00 400

Fターム (30件)：

4M109AA01 , 4M109EC12 , 4M109GA01 , 5E319AA03 , 5E319AB01 , 5E319AB05 , 5E319AC01 , 5E319AC16 , 5E319AC20 , 5E319CC22 , 5E319GG15 , 5E319GG20 , 5E336AA04 , 5E336AA12 , 5E336BB03 , 5E336CC57 , 5E336CC58 , 5E336EE01 , 5E336GG30 , 5F041AA42 , 5F041AA47 , 5F041DA03 , 5F041DA14 , 5F041DA20 , 5F041DA44 , 5F041DA83 , 5F041DC03 , 5F041DC26 , 5F041DC66 , 5F041DC84

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-029786 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-281976
オプトエレクトロニクス構成素子を製造する方法及び電磁ビームを放出するオプトエレクトロニクス構成素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-532589 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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