特許

J-GLOBAL ID：201203024700014948

高誘電性ナノシート積層体、高誘電性ナノシート積層体、高誘電体素子、および高誘電体薄膜素子の製造方法

発明者： 長田 実 ,  海老名 保男 ,  佐々木 高義
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-112462
公開番号（公開出願番号）：特開2012-240884
出願日： 2011年05月19日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：

【課題】コンデンサなどに好適な、非常に薄くしても高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現する高誘電体薄膜を提供する。 【解決手段】上記課題は、ペロブスカイト構造を有する酸化物ナノシートなどの高誘電体により構成される薄膜により達成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

NbO6八面体、TaO6八面体もしくはTiO6八面体を単位格子内に少なくとも4個内包したペロブスカイト構造を有する酸化物の厚み10nm以下のナノシートを積層した、高誘電性ナノシート積層体。

IPC (9件)：

C01G 33/00 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  B32B 9/00 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (6件)：

C01G33/00 A ,  H01L27/10 651 ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617T ,  B32B9/00 A ,  H01L27/04 C

Fターム (51件)：

4F100AA17B ,  4F100AA33B ,  4F100AT00A ,  4F100AT00C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH46 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ54 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11B ,  4F100JG05B ,  4F100JM02B ,  4G048AA04 ,  4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD04 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038AC19 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD00 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA16 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F110AA30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF40 ,  5F140AA00 ,  5F140BD02 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276195   出願人：京セラ株式会社
• 層間架橋構造を有する層状化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-325495   出願人：工業技術院長

引用文献：

審査官引用 (1件)

• レイヤーバイレイヤー累積によるペロブスカイト型ナノシート超薄膜の構築とその電気特性