特許
J-GLOBAL ID：201203027705611897
ガラスベースSOI構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-148605
公開番号（公開出願番号）：特開2012-212924
出願日： 2012年07月02日
公開日（公表日）： 2012年11月01日
要約：
【課題】酸化物ガラスまたは酸化物ガラス-セラミックからなる支持基板に張り合わされたSOI構造を提供する。【解決手段】酸化物ガラスまたは酸化物ガラス-セラミックは透明であることが好ましく、1000°Cより低い歪点及び1016Ω-cm以下の250°Cにおける比抵抗を有し、高温(例えば300〜1000°C)において電場に応答してガラスまたはガラス-セラミック内を移動できる陽イオン(例えば、アルカリイオンまたはアルカリ土類イオン)を含有することが好ましい。半導体層15と支持基板20の間の接合強度は少なくとも8J/m2であることが好ましい。半導体層15は半導体材料がガラスまたはガラス-セラミックから発生する酸素イオンと反応した混成領域を有することができる。支持基板20は可動陽イオンの濃度が低減された空乏領域を有することが好ましい。【選択図】図1C
請求項（抜粋）：
ガラス上半導体構造を作成する方法において、
剥離層を半導体ウエハ上部に確立する工程;
前記半導体ウエハの前記剥離層をガラス基板に接触させる工程;
真空雰囲気又は非真空雰囲気で、圧力、温度及び電圧を前記半導体ウエハ及びガラス基板に適用する工程であって、電気分解型反応の作用により前記半導体ウエハと前記ガラス基板と接着させ、前記剥離層が、前記半導体ウエハから分離し、かつ、前記ガラス基板とは結合したままであることにより、前記ガラス基板が、(i)前記剥離層に隣接して、ディプリートした可動陽イオンを有する第1の基板層、及び(ii)前記第1の基板層に隣接して、高められた可動陽イオンを有する第2の基板層を含み、前記第1の基板層が、前記ガラス基板から前記剥離層への再マイグレーションを防止するように働くことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 S
, H01L27/12 B
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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