単結晶性有機半導体薄膜の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-189315
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049291
出願日： 2010年08月26日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】本発明は、印刷法によって薄膜のほぼ全領域が単一の単結晶からなる単結晶性有機半導体薄膜を作製することを課題とする。【課題を解決するための手段】有機半導体に親和性の高い有機溶媒に該有機半導体を高濃度に溶解して得た第1のインクと、該有機半導体に親和性の低い有機溶媒からなる第2のインクを用意する工程と、該第1及び第2のインクを基板上で混合し、インクを貯留する領域を形成する工程とを含む単結晶性有機半導体薄膜の製造方法であって、該インクを貯留する領域の一部に種結晶が高効率に発生する形状を付与し、そこを起点としてインクを貯留する領域のほぼ全領域にわたり単結晶を成長させることを特徴とする単結晶性有機半導体薄膜の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機半導体に親和性の高い有機溶媒に該有機半導体を高濃度に溶解して得た第1のインクと、該有機半導体に親和性の低い有機溶媒からなる第2のインクを用意する工程と、該第1及び第2のインクを基板上で混合し、インクを貯留する領域を形成する工程とを含む単結晶性有機半導体薄膜の製造方法であって、該インクを貯留する領域の一部に種結晶が高効率に発生する形状を付与し、そこを起点としてインクを貯留する領域のほぼ全領域にわたり単結晶を成長させることを特徴とする単結晶性有機半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/368 , H01L 51/05 , H01L 51/40

FI (3件)：

H01L21/368 L , H01L29/28 100A , H01L29/28 310L

Fターム (7件)：

5F053AA50 , 5F053BB09 , 5F053DD19 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053LL10 , 5F053RR05

引用特許：

審査官引用 (5件)

有機半導体形成用インク、有機半導体パターン形成方法、電子素子および電子素子アレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-290257 出願人：株式会社リコー
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-296510 出願人：ソニー株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-336709 出願人：株式会社日立製作所

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