特許

J-GLOBAL ID：201203028529415276

基板処理装置

発明者： 福田 正直 ,  佐々木 隆史 ,  山口 天和 ,  原 大介
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-041214
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178491
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

【課題】成膜精度に悪影響を及ぼさず、かつ高温に耐え得るウェーハの積層構造を有する基板処理装置を提供する。【解決手段】ウェーハ14を内周側で保持するホルダベース110と、ホルダベース110の外周側を保持するホルダ保持部HSを有する各ボート柱31a〜31cとを備え、ホルダベース110の外径寸法をウェーハ14の外径寸法よりも大きくし、かつホルダベース110をホルダ保持部HSから取り外せるようにした。ホルダベース110と各ボート柱31a〜31cとを溶接等により固着しなくて済み、ホルダベース110および各ボート柱31a〜31cをSiC等で形成して、容易に高温に耐え得るウェーハの積層構造を実現できる。また、ホルダベース110によって、各ボート柱31a〜31cからウェーハ14を離間させることができるので、成膜精度に悪影響を及ぼすのを抑制できる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

複数積層された基板を処理する反応容器と、 前記反応容器内に設けられ、前記基板に反応ガスを供給するガスノズルと、 前記基板を内周側で保持する複数のウェーハホルダと、 前記ウェーハホルダの外周側を保持するホルダ保持部を有する複数のボート柱とを備え、 前記ウェーハホルダの外径寸法を前記基板の外径寸法よりも大きくし、かつ前記ウェーハホルダを前記ホルダ保持部から取り外せるようにしたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/683 ,  H01L 21/31 ,  F27D 3/12

FI (3件)：

H01L21/68 N ,  H01L21/31 B ,  F27D3/12 Z

Fターム (28件)：

4K055AA06 ,  4K055HA02 ,  4K055HA12 ,  4K055NA05 ,  5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031HA64 ,  5F031MA28 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC13 ,  5F045AD18 ,  5F045AE01 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK02 ,  5F045EK24 ,  5F045EM08 ,  5F045EM09 ,  5F045EN04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-397884   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体製造装置及びこれを利用した半導体基板の薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-144224   出願人：株式会社テラセミコン