特許
J-GLOBAL ID：201203028729560505
半導体量子ドットの合成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
久野 琢也
, 矢野 敏雄
, 高橋 佳大
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, 篠 良一
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-523766
公開番号（公開出願番号）：特表2012-500175
出願日： 2009年08月18日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
本発明は種々のルミネッセンス材料の製造のために、且つ、超小型発光ダイオード、白色光源、単電子トランジスタ、非線形光学素子、および感光性および光起電素子を製造するための基礎として使用される。半導体量子ドットを製造するための本発明の方法は、有機溶剤および表面改質剤を使用し、カルコゲン含有前駆体およびII族金属またはIV族金属を含有する前駆体からのナノ結晶核の合成を含む。本方法は(アミノアルキル)トリアルコキシシランが表面改質剤として使用され、コアの合成が150〜250°Cにわたる一定の温度で15秒〜1時間の間行われ、その際、ナノ結晶を含有する反応混合物を追加的にUV光によって1〜10分間、および超音波によって5〜15分間、処理することを特徴とする。本発明は半導体の量子ドットの光安定性を34%まで増加させ、且つ、非極性および極性溶剤中で分散されるそれらの能力、従って、量子収率を保持し且つ増加することを可能にする。
請求項（抜粋）：
II族金属またはIV族金属カルコゲナイドに基づく半導体量子ドットの製造方法であって、有機溶剤および表面改質剤を使用し、カルコゲンを含有する前駆体およびII族金属またはIV族金属を含有する前駆体からナノ結晶コアを合成することを含み、改質剤としての(アミノアルキル)トリアルコキシシランを適用し、コアを150〜250°Cにわたる一定の温度で15分間〜1時間の間、合成し、且つ、ナノ結晶コアを含有する反応混合物を追加的に、UV光によって1〜10分間処理し、且つ超音波によって5〜15分間処理することを特徴とする製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
C01B19/04 C
, C01B19/04 B
