ナノ粒子の低温合成法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 斎藤健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335914
公開番号（公開出願番号）：特開2006-143526
出願日： 2004年11月19日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】高い発光量子収率を示す量子ドットを提供すること。【解決手段】金属化合物と5B族もしくは6B族原子の供給源である化合物とを、トリオクチルホスフィン(TOP)中、4°C〜50°Cの温度で反応させることを特徴とする、金属化合物の金属と5B族もしくは6B族原子とからなるナノ粒子の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属化合物と5B族もしくは6B族原子の供給源である化合物とを、トリオクチルホスフィン(TOP)中、4°C〜50°Cの温度で反応させることを特徴とする、金属化合物の金属と5B族もしくは6B族原子とからなるナノ粒子の製造方法。

IPC (9件)：

C01B 19/04 , C01B 25/08 , C01G 9/08 , C01G 11/02 , C01G 15/00 , C09K 11/08 , C09K 11/56 , C09K 11/70 , C09K 11/74

FI (11件)：

C01B19/04 C , C01B19/04 H , C01B25/08 A , C01G9/08 , C01G11/02 , C01G15/00 D , C09K11/08 A , C09K11/08 G , C09K11/56 , C09K11/70 , C09K11/74

Fターム (18件)：

4G047BA01 , 4G047BB01 , 4G047BC02 , 4G047BD03 , 4H001CA02 , 4H001CC13 , 4H001CF01 , 4H001XA13 , 4H001XA15 , 4H001XA16 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA33 , 4H001XA34 , 4H001XA48 , 4H001XA49 , 4H001XA51 , 4H001XA52

引用特許：

出願人引用 (2件)

U.S. 5,990,479
U.S. 6,194,213

審査官引用 (6件)

金属または金属-カルコゲンナノ粒子の液相合成法およびこれを用いた相変化光記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-202281 出願人：富士写真フイルム株式会社
半導体超微粒子反応試剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-198094 出願人：三井化学株式会社
ナノクリスタライトの調製
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-548750 出願人：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー

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引用文献：

審査官引用 (1件)

蛍光性半導体量子ドットの低温合成法

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